Transistor công suất Mosfet 10N60

Mô tả chi tiết

Tải về datasheet Mosfet 10N60

Thông số kỹ thuật:

        Điện áp đánh thủng: 600V.

Điện áp V_GS = +/-30V

Dòng chịu đựng trung bình: 9.5A.

Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

Công suất: 156W

Mosfet 10N60, 10N60C  là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220.

Mosfet 10N60, 10N60C là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 10N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.